NDS331N MOSFET N-Ch LL FET Geliştirme Modu
♠ Ürün Açıklaması
| Ürün özelliği | Öznitelik Değeri |
| Üretici firma: | onsemi |
| Ürün Kategorisi: | MOSFET |
| teknoloji: | Si |
| Montaj Stili: | SMD/SMT |
| Paket / Kasa: | SOT-23-3 |
| Transistör Polaritesi: | N-Kanal |
| Kanal Sayısı: | 1 kanal |
| Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Gerilimi: | 20V |
| Kimlik - Sürekli Tahliye Akımı: | 1,3 bir |
| Rds Açık - Drenaj Kaynağı Direnci: | 210 mOhm |
| Vgs - Kapı-Kaynak Gerilimi: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Kapı-Kaynak Eşik Gerilimi: | 500mV |
| Qg - Kapı Ücreti: | 5 nC |
| Asgari Çalışma Sıcaklığı: | - 55 C |
| Maksimum Çalışma Sıcaklığı: | + 150 C |
| Pd - Güç Tüketimi: | 500 mW |
| Kanal Modu: | Artırma |
| Ambalajlama: | makara |
| Ambalajlama: | Kesik Bant |
| Ambalajlama: | Fare Makarası |
| Marka: | onsemi / Fairchild |
| Yapılandırma: | Bekar |
| Güz Zamanı: | 25 sn |
| Yükseklik: | 1,12 mm |
| Uzunluk: | 2,9 mm |
| Ürün: | MOSFET Küçük Sinyal |
| Ürün tipi: | MOSFET |
| Yükseliş zamanı: | 25 sn |
| Seri: | NDS331N |
| Fabrika Paketi Miktarı: | 3000 |
| Alt kategori: | MOSFET'ler |
| Transistör Tipi: | 1 N-Kanal |
| Tip: | MOSFET |
| Tipik Kapatma Gecikme Süresi: | 10 sn |
| Tipik Açılma Gecikme Süresi: | 5 sn |
| Genişlik: | 1,4 mm |
| Bölüm # Takma Adlar: | NDS331N_NL |
| Ağırlık birimi: | 0.001129 ons |
♠ N-Kanal Mantık Seviyesi Geliştirme Modu Alan Etkili Transistör
Bu N-Channel mantık seviyesi iyileştirme modu güç alanı etkisi transistörleri, ON Semiconductor'ın tescilli, yüksek hücre yoğunluğu, DMOS teknolojisi kullanılarak üretilir.Bu çok yüksek yoğunluklu süreç, durum direncini en aza indirmek için özel olarak uyarlanmıştır.Bu cihazlar, dizüstü bilgisayarlar, taşınabilir telefonlar, PCMCIA kartları ve çok küçük bir yüzey montaj paketinde hızlı anahtarlama ve düşük hat içi güç kaybının gerekli olduğu diğer pille çalışan devrelerdeki düşük voltajlı uygulamalar için özellikle uygundur.
• 1,3 A, 20 V
♦ RDS(açık) = 0,21 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(açık) = 0,16 @ VGS = 4,5 V
• Endüstri Standardı Taslağı SOT−23 Yüzeye Montaj Paketi Kullanılıyor
Üstün Termal ve Elektriksel Yetenekler için Tescilli SUPERSOT−3 Tasarımı
• Son Derece Düşük RDS(açık) için Yüksek Yoğunluklu Hücre Tasarımı
• Olağanüstü Açık Direnç ve Maksimum DC Akım Kapasitesi
• Bu Kurşunsuz Bir Aygıttır
