VNS1NV04DPTR-E Kapı Sürücüleri OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Ürün Açıklaması
Ürün Özelliği | Öznitelik Değeri |
Üretici: | STMikroelektronik |
Ürün Kategorisi: | Kapı Sürücüleri |
Ürün: | MOSFET Kapı Sürücüleri |
Tip: | Düşük Taraf |
Montaj Stili: | SMD/SMT |
Paket / Kutu: | SOİK-8 |
Sürücü Sayısı: | 2 Sürücü |
Çıktı Sayısı: | 2 Çıkış |
Çıkış Akımı: | 1,7A |
Besleme Voltajı - Maks: | 24 V |
Kalkış Zamanı: | 500 ns |
Sonbahar Zamanı: | 600 ns |
Minimum Çalışma Sıcaklığı: | - 40 C |
Maksimum Çalışma Sıcaklığı: | + 150 C |
Seri: | VNS1NV04DP-E |
Vasıf: | AEC-Q100 |
Ambalajlama: | Makara |
Ambalajlama: | Bant Kes |
Ambalajlama: | Fare Makarası |
Marka: | STMikroelektronik |
Nem Duyarlı: | Evet |
Çalışma Besleme Akımı: | 150 uA |
Ürün Türü: | Kapı Sürücüleri |
Fabrika Paket Miktarı: | 2500 |
Alt kategori: | PMIC - Güç Yönetimi IC'leri |
Teknoloji: | Si |
Birim Ağırlık: | 0,005291 ons |
♠ OMNIFET II tam otomatik korumalı Güç MOSFET
VNS1NV04DP-E, standart bir SO-8 paketinde bulunan iki monolitik OMNIFET II çipinden oluşan bir cihazdır. OMNIFET II, STMicroelectronics VIPower™ M0-3 teknolojisinde tasarlanmıştır: DC'den 50KHz'e kadar uygulamalarda standart Güç MOSFET'lerinin yerini almak üzere tasarlanmıştır. Dahili termal kapatma, doğrusal akım sınırlaması ve aşırı gerilim kelepçesi, çipi zorlu ortamlarda korur.
Giriş pinindeki voltajın izlenmesiyle hata geri beslemesi tespit edilebilir.
• Doğrusal akım sınırlaması
• Termal kapatma
• Kısa devre koruması
• Entegre kelepçe
• Giriş pininden çekilen akım düşük
• Giriş pimi aracılığıyla tanısal geri bildirim
• ESD koruması
• Güç mosfetinin kapısına doğrudan erişim (analog sürüş)
• Standart güç mosfet ile uyumludur
• 2002/95/EC Avrupa direktifine uygundur