VNS1NV04DPTR-E Kapı Sürücüleri OMNIFET GÜÇ MOSFET 40V 1,7 A
♠ Ürün Açıklaması
| Ürün özelliği | Öznitelik Değeri |
| Üretici firma: | STMikroelektronik |
| Ürün Kategorisi: | Kapı Sürücüleri |
| Ürün: | MOSFET Kapısı Sürücüleri |
| Tip: | Alçak Taraf |
| Montaj Stili: | SMD/SMT |
| Paket / Kasa: | SOIC-8 |
| Sürücü Sayısı: | 2 Sürücü |
| Çıkış Sayısı: | 2 Çıkış |
| Çıkış Akımı: | 1,7 bir |
| Besleme Gerilimi - Maks: | 24 volt |
| Yükseliş zamanı: | 500 sn |
| Güz Zamanı: | 600 sn |
| Asgari Çalışma Sıcaklığı: | - 40 C |
| Maksimum Çalışma Sıcaklığı: | + 150 C |
| Seri: | VNS1NV04DP-E |
| Vasıf: | AEC-Q100 |
| Ambalajlama: | makara |
| Ambalajlama: | Kesik Bant |
| Ambalajlama: | Fare Makarası |
| Marka: | STMikroelektronik |
| Neme duyarlı: | Evet |
| Çalışma Besleme Akımı: | 150 uA |
| Ürün tipi: | Kapı Sürücüleri |
| Fabrika Paketi Miktarı: | 2500 |
| Alt kategori: | PMIC - Güç Yönetimi IC'leri |
| teknoloji: | Si |
| Ağırlık birimi: | 0.005291 ons |
♠ OMNIFET II tamamen otomatik korumalı Güç MOSFET'i
VNS1NV04DP-E, standart bir SO-8 paketinde barındırılan iki yekpare OMNIFET II yongasından oluşan bir cihazdır.OMNIFET II, STMicroelectronics VIPower™ M0-3 teknolojisinde tasarlanmıştır: DC'den 50KHz'e kadar olan uygulamalarda standart Power MOSFET'lerin yerini almak üzere tasarlanmıştır.Dahili termal kapatma, doğrusal akım sınırlaması ve aşırı gerilim kelepçesi, çipi zorlu ortamlarda korur.
Giriş pimindeki voltaj izlenerek arıza geri bildirimi tespit edilebilir.
• Doğrusal akım sınırlaması
• Termal kapatma
• Kısa devre koruması
• Entegre kelepçe
• Giriş pininden çekilen düşük akım
• Giriş pimi aracılığıyla teşhis geri bildirimi
• ESD koruması
• Güçlü mosfet kapısına doğrudan erişim (analog sürüş)
• Standart güçlü mosfet ile uyumlu
• 2002/95/EC Avrupa direktifine uygun
