VNB35NV04TR-E Güç Anahtarı IC'leri – Güç Dağıtımı N-Ch 70V 35A OmniFET
♠ Ürün Açıklaması
Ürün özelliği | Öznitelik Değeri |
Üretici firma: | STMikroelektronik |
Ürün Kategorisi: | Güç Anahtarı IC'leri - Güç Dağıtımı |
Tip: | Alçak Taraf |
Çıkış Sayısı: | 1 Çıkış |
Akım Sınırı: | 30 bir |
Dirençte - Maks: | 13 mOhm |
Zamanında - Maks: | 500 sn |
Kapanma Süresi - Maks: | 3 biz |
Çalışma Besleme Gerilimi: | 24 volt |
Asgari Çalışma Sıcaklığı: | - 40 C |
Maksimum Çalışma Sıcaklığı: | + 150 C |
Montaj Stili: | SMD/SMT |
Paket / Kasa: | D2PAK-2 |
Seri: | VNB35NV04-E |
Vasıf: | AEC-Q100 |
Ambalajlama: | makara |
Ambalajlama: | Kesik Bant |
Ambalajlama: | Fare Makarası |
Marka: | STMikroelektronik |
Neme duyarlı: | Evet |
Pd - Güç Tüketimi: | 125 W |
Ürün: | Yük Anahtarları |
Ürün tipi: | Güç Anahtarı IC'leri - Güç Dağıtımı |
Fabrika Paketi Miktarı: | 1000 |
Alt kategori: | Anahtar IC'leri |
Ağırlık birimi: | 0.066315 ons |
♠ OMNIFET II: tamamen otomatik korumalı Güç MOSFET'i
VNB35NV04-E, VNP35NV04-E ve VNV35NV04-E, DC'den 25 kHz'e kadar uygulamalardan standart Güç MOSFET'lerinin değiştirilmesi için STMicroelectronics® VIPower® M0-3 Teknolojisinde tasarlanmış monolitik cihazlardır.
Dahili termal kapatma, doğrusal akım sınırlaması ve aşırı gerilim kelepçesi, çipi zorlu ortamlarda korur.Giriş pimindeki voltaj izlenerek arıza geri bildirimi tespit edilebilir.
• Doğrusal akım sınırlaması
• Termal kapatma
• Kısa devre koruması
• Entegre kelepçe
• Giriş pininden çekilen düşük akım
• Giriş pimi aracılığıyla teşhis geri bildirimi
• ESD koruması
• Power MOSFET kapısına doğrudan erişim (analog sürüş)
• Standart Power MOSFET ile uyumlu