FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Ürün Açıklaması
| Ürün özniteliği | Özkaynak değeri |
| Üretici: | yarı yarıya |
| Ürün kategorisi: | MOSFET |
| RoHS: | Ayrıntılar |
| Teknoloji: | Si |
| Montaj stili: | SMD/SMT |
| Paket / Küp: | SSOT-3 |
| Transistörün Polaritesi: | N-Kanal |
| Kanal sayısı: | 1 Kanal |
| Vds - Kanalizasyon ve sudaki gerilim kesintiye uğruyor: | 30V |
| Id - Sürekli drenaj düzeltmesi: | 2.2A |
| Rds Açık - Drenaj ve su direnci: | 65 mOhm |
| Vgs - Kapı ve arkadaki gerilim: | - 8V, + 8V |
| Vgs th - Giriş ve çıkıştaki gerginlik: | 400mV |
| Qg - Kapı Yükü: | 9 nC |
| Minimum çalışma sıcaklığı: | - 55 C |
| Maksimum çalışma sıcaklığı: | + 150 C |
| Dp - Güç Dağıtımı : | 500mW |
| Modo kanalı: | Geliştirme |
| Paketlenmiş: | Makara |
| Paketlenmiş: | Bant Kes |
| Paketlenmiş: | Fare Makarası |
| Marka: | onsemi / Fairchild |
| Yapılandırma: | Bekar |
| Bekletme zamanı: | 10 saniye |
| Transcondutancia hacia delante - Min.: | 13 S |
| Daha fazlası: | 1,12 mm |
| Boylam: | 2,9 mm |
| Ürün: | MOSFET Küçük Sinyal |
| Ürün türü: | MOSFET |
| Gönderim zamanı: | 10 saniye |
| Seri: | FDN337N |
| Fabrika Empaque'in türü: | 3000 |
| Alt kategori: | MOSFET'ler |
| Transistör tipi: | 1 N-Kanal |
| Tür: | FET |
| Tipik gecikme süresi: | 17 ns |
| Ateşleme demosunun zaman türü: | 4 saniye |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Parça adları n.º: | FDN337N_NL |
| Birim fiyatı: | 0,001270 ons |
♠ Transistör - N-Kanal, Mantık Seviyesi, Geliştirme Modu Alan Etkisi
SUPERSOT−3 N−Kanal mantık seviyesi geliştirme modu güç alanı etkili transistörler, onsemi'nin tescilli, yüksek hücre yoğunluklu DMOS teknolojisi kullanılarak üretilir. Bu çok yüksek yoğunluklu işlem, özellikle açık durum direncini en aza indirmek için tasarlanmıştır. Bu cihazlar, çok küçük bir taslak yüzey montaj paketinde hızlı anahtarlama ve düşük hat içi güç kaybının gerekli olduğu dizüstü bilgisayarlar, taşınabilir telefonlar, PCMCIA kartları ve diğer pille çalışan devrelerdeki düşük voltajlı uygulamalar için özellikle uygundur.
• 2,2 A, 30 V
♦ RDS(açık) = 0,065 @ VGS = 4,5 V
♦ RDS(açık) = 0,082 @ VGS = 2,5 V
• Üstün Termal ve Elektriksel Yetenekler için Tescilli SUPERSOT−3 Tasarımını Kullanan Endüstri Standardı Anahat SOT−23 Yüzey Montaj Paketi
• Son Derece Düşük RDS(on) için Yüksek Yoğunluklu Hücre Tasarımı
• Olağanüstü Açık Direnç ve Maksimum DC Akım Kapasitesi
• Bu Cihaz Kurşunsuz ve Halojensizdir
