FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Ürün Açıklaması
| Ürün özniteliği | Öznitelik değeri |
| Üretici: | onsemi |
| Ürün kategorisi: | MOSFET |
| RoHS: | Detaylar |
| teknoloji: | Si |
| Montaj stili: | SMD/SMT |
| Paket / Küp: | SSOT-3 |
| Transistör kutuplaması: | N-Kanal |
| Kanal numaraları: | 1 kanal |
| Vds - Devre dışı bırakma ve çalıştırma gerilimi: | 30 volt |
| Kimlik - Devam eden işletime alma düzeltmesi: | 2,2 bir |
| Rds On - Devreye alma ve çalıştırma direnci: | 65 mOhm |
| Vgs - Entre puerta ve fuente gerilimi: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Puerta ve fuente'deki umbral gerginlik: | 400mV |
| Qg - Yükleme yükü: | 9 nC |
| Minimum çalışma sıcaklığı: | - 55 C |
| Maksimum çalışma sıcaklığı: | + 150 C |
| Dp - Güç Kaybı : | 500 mW |
| Moda kanalı: | Artırma |
| Empaquetado: | makara |
| Empaquetado: | Kesik Bant |
| Empaquetado: | Fare Makarası |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Yapılandırma: | Bekar |
| Zaman saati: | 10 sn |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 13 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| boylam: | 2,9 mm |
| Ürün: | MOSFET Küçük Sinyal |
| Ürün türü: | MOSFET |
| Su saati süresi: | 10 sn |
| Seri: | FDN337N |
| Fabrika satış elemanı: | 3000 |
| Alt kategori: | MOSFET'ler |
| Transistör tipi: | 1 N-Kanal |
| tip: | FET |
| Tipik gecikme süresi: | 17 sn |
| En iyi demora türü: | 4 sn |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Takma ad de las piezas n.º: | FDN337N_NL |
| Birlik parası: | 0.001270 ons |
♠ Transistör - N-Kanal, Mantık Seviyesi, Geliştirme Modu Alan Etkisi
SUPERSOT−3 N−Kanal mantık seviyesi iyileştirme modu güç alanı etkili transistörler, onsemi'nin tescilli, yüksek hücre yoğunluklu DMOS teknolojisi kullanılarak üretilir.Bu çok yüksek yoğunluklu süreç, durum direncini en aza indirmek için özel olarak uyarlanmıştır.Bu cihazlar, dizüstü bilgisayarlar, taşınabilir telefonlar, PCMCIA kartları ve çok küçük bir yüzey montaj paketinde hızlı anahtarlama ve düşük hat içi güç kaybının gerekli olduğu diğer pille çalışan devrelerdeki düşük voltajlı uygulamalar için özellikle uygundur.
• 2,2 A, 30 V
♦ RDS(açık) = 0,065 @ VGS = 4,5 V
♦ RDS(açık) = 0,082 @ VGS = 2,5 V
• Üstün Termal ve Elektriksel Yetenekler için Tescilli SUPERSOT−3 Tasarımını Kullanan Endüstri Standardı Taslak SOT−23 Yüzeye Montaj Paketi
• Son Derece Düşük RDS(açık) için Yüksek Yoğunluklu Hücre Tasarımı
• Olağanüstü Açık Direnç ve Maksimum DC Akım Kapasitesi
• Bu Cihaz Kurşun İçermez ve Halojen İçermez
